Wielt Äert Land oder Regioun.

Home
Produkter
Diskrete Semiconductor Products
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3 Image
Bild kann Representatioun sinn.
Kuckt Spezifikatioune fir Produktdetailer.
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Part Number:
SIR770DP-T1-GE3
Fabrikant / Brand:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Produkt beschreiwung:
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Datebanken:
SIR770DP-T1-GE3.pdf
RoHs Status:
Bleif gratis / RoHS kompatibel
Bourse Condition:
103367 pcs stock
Ship From:
Hong Kong
Shipment Way:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

FREET IECH UN

Fëllt w.e.g. all erfuerderlech Felder mat Äre Kontaktinformatiounen aus. Klickt op "SUBMIT RFQ"
mir kontaktéieren Iech kuerz per E-Mail. Oder Emailt eis: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 103367 pcs Referenzpräis (an US Dollaren)

  • 1 pcs
    $0.521
  • 10 pcs
    $0.461
  • 100 pcs
    $0.364
  • 500 pcs
    $0.283
  • 1000 pcs
    $0.223
Zil Präis(USD):
Quantitéit:
Gitt eis w.e.g. Ären Zilpräis wa Quantitéite méi grouss sinn wéi déi ugewisen.
Total: $0.00
SIR770DP-T1-GE3
Firmen Numm
Kontaktname
E-Mail
Noriicht
SIR770DP-T1-GE3 Image

Spezifikatioune vu SIR770DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
(Klickt op eidel fir automatesch zou ze maachen)
Part Number SIR770DP-T1-GE3 Hiersteller Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreiwung MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 Bleif Free Status / RoHS Status Bleif gratis / RoHS kompatibel
Quantitéit Verfügt 103367 pcs stock Datenlabel SIR770DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8A, 10V
Power - Max 17.8W Verpakung Cut Tape (CT)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual Aner Names SIR770DP-T1-GE3CT
Operatioun Temperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Feuchtigkeit Sensibilitéitniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleif Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Typ 2 N-Channel (Dual) FET Feature Logic Level Gate
Entworf fir Source Voltage (Vdss) 30V Detailbeschreiwung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Aktuell - Kontinuéierter Drain (Id) @ 25 ° C 8A  
Ausmaachen

Zesummenhang Produkter

Zesummenhang Tags

Waarm Informatioun